

已閱讀1頁,還剩84頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、論文題目高壓VDMOS閾值電壓的工藝優(yōu)化專業(yè)學位類別工程碩士學號200950301029作者姓名洪春雷指導教師羅萍教授PROCESSOPTIMIZATIONFHIGHVOLTAGEVDMOSTHRESHOLDVOLTAGEAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceTechnologyofChinaMaj:MasterofEngineeringAuth:HONGChunLei
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高壓PMOS器件閾值電壓穩(wěn)定性改善工藝研究.pdf
- 可調(diào)制閾值電壓的相變異質(zhì)結(jié).pdf
- 應變硅MOS器件閾值電壓模型研究.pdf
- 基于雙閾值電壓分配算法的芯片功耗優(yōu)化設計及研究.pdf
- 基于ZnO薄膜的低閾值電壓壓敏電阻.pdf
- Si基Ge溝道MOSFET閾值電壓模型研究.pdf
- 納米CMOS器件新結(jié)構與閾值電壓模型研究.pdf
- 同質(zhì)復合柵MOSFET閾值電壓及電阻溫度效應的研究.pdf
- 基于氧化物薄膜的低閾值電壓壓敏電阻.pdf
- 氮化鎵基HFET低溫歐姆接觸和閾值電壓研究.pdf
- 柵極的再氧化對EEPROM閾值電壓的影響及可控研究.pdf
- 高壓VDMOS的設計與工藝仿真.pdf
- 低電壓InGaZnO雙電層薄膜晶體管及其閾值電壓調(diào)控.pdf
- 考慮源漏電場的準二維MOSFET閾值電壓模型.pdf
- 小尺寸MOSFET閾值電壓模型及高k柵介質(zhì)研究.pdf
- 小尺寸MOSFET閾值電壓模型及高k柵介質(zhì)制備.pdf
- 無結(jié)晶體管閾值電壓模型與新結(jié)構.pdf
- 硅納米線晶體管閾值電壓提取技術研究.pdf
- 基于變分法的準二維MOSFET閾值電壓的解析模型.pdf
- 基于帶閾值電壓憶阻器的可編程模擬電路研究.pdf
評論
0/150
提交評論