多晶硅薄膜晶體管閾值電壓模型和寄生電阻提取方法.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文針對(duì)多晶硅薄膜晶體管(Thin Film Transistors，TFTs)提出了一個(gè)適用的閾值電壓模型和一種新的源、漏寄生電阻提取方法。
　　 首先，本文成功地推導(dǎo)出了多晶硅TFT的閾值電壓模型的解析表達(dá)式。該閾值電壓模型是在多晶硅TFT開態(tài)電流模型的基礎(chǔ)上，利用二次微分法推導(dǎo)得到的。在這個(gè)閾值電壓模型中，不僅考慮了溝道晶粒反型，還考慮了晶粒間界勢(shì)壘調(diào)制效應(yīng)和遷移率退化效應(yīng)的影響，物理定義完整而且明確。并且研究發(fā)現(xiàn)，相比

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