非摻雜多晶半導體薄膜晶體管晶界勢壘的解析模型.pdf

1、本文針對非摻雜多晶半導體薄膜晶體管(Thin Film Transistors, TFTs)的晶粒間界勢壘提出了一個適用的解析模型。首先,我們成功建立了基于物理描述的非摻雜多晶半導體TFTs晶粒間界勢壘高度的清晰的解析模型。此解析模型是基于離散晶粒分析(Discrete Grain Analysis)和U型的晶界缺陷態(tài)密度(Density Of States, DOS)分布得到的。解析解的求解過程用到了朗伯函數(Lambert W fu

2、nction),而且沒有引入額外的近似處理。通過與數值計算的結果以及多晶硅TFTs勢壘高度的實驗值相比較,證實了此解析模型的正確性和有效性。經過對模型中物理參數的仔細分析,清晰的揭示了物理參數對晶界勢壘的影響,更加深刻的理解晶界勢壘在載流子輸運過程中的重要作用。其次,我們發(fā)現在DOS分布中深能態(tài)為主導的情況下,此解析模型和以前廣泛應用的Seto提出的模型在閾值電壓以上的區(qū)域(the above-threshold region)吻合的很