2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文主要研究了金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶n型多晶硅薄膜晶體管在熱載流子(hot carrier,HC)應(yīng)力下的漏電特性，以及其所對(duì)應(yīng)的物理機(jī)制；并確定了應(yīng)力前后漏電的電流模型。最后提出了HC應(yīng)力下n型TFT的場(chǎng)助產(chǎn)生(field enhanced generation，F(xiàn)EG)漏電與熱產(chǎn)生(thermal generation，TG)漏電量化統(tǒng)一模型。整個(gè)研究從FEG漏電和TG漏電兩個(gè)角度展開。在測(cè)量時(shí)，采用正反向測(cè)量模式。在定性分析FEG漏電和

2、TG漏電特性的同時(shí)，還針對(duì)Ioff和漏電最小值Ioff min這兩個(gè)重要參數(shù)進(jìn)行定量分析。此外，對(duì)TG漏電分為非H化和H化器件兩個(gè)對(duì)照組，進(jìn)行研究，并分別考察了飽和區(qū)和增長(zhǎng)區(qū)的特性。最終得出了熱載流子應(yīng)力后，F(xiàn)EG漏電與TG漏電在正反向測(cè)量模式下的漏電特性，并澄清了其內(nèi)在的物理機(jī)制。還確認(rèn)了應(yīng)力前后在正反向測(cè)量模式下FEG漏電的電流模型，以及TG漏電增量的電流模型。并提出了HC應(yīng)力下n型TFT的FEG漏電與TG漏電量化統(tǒng)一模型。從數(shù)學(xué)上

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