同質復合柵MOSFET閾值電壓及電阻溫度效應的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著器件尺寸的縮小,寄生電阻對器件性能的影響不可忽視,為準確預測器件的寄生電阻并了解器件參數對寄生電阻的影響,需要有準確的寄生電阻模型。
　　本文第二章分析了短溝道寄生電阻模型,研究了短溝道寄生電阻模型在柵壓較小時與模擬結果存在較大誤差的原因,并對模型進行了改進。最后分析了器件參數對寄生電阻的影響,提出未來減小寄生電阻需要和可能采取的措施。
　　本文提出了一種新型的同質復合柵MOSFET結構,結構采用了柵工程的概念,所設計的

2、柵由S-gate和D-gate兩塊并列組成,S-gate用高功函數p+多晶硅,D-gate用低功函數n+多晶硅。在復合多晶硅柵的實現工藝上,本文采用了一種補償注入的方法,只需利用一塊S-gate掩模板就可形成復合柵電極結構,工藝簡單可行。鑒于同質復合柵MOSFET的電特性很多,本文第三章主要討論其電阻效應。方法是通過研究溫度對LDDMOS電阻中各參數的影響,確定了受溫度影響較大的參數,建立了模型,并用MEDICI的仿真結果進行比較,驗證

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