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文檔簡介
1、MOS電容高頻C-V特性測量廣泛應(yīng)用于全球的半導(dǎo)體制造行業(yè)和研究單位,為研究半導(dǎo)體表面的特性提供了一個(gè)非常有力的手段;SiGe 材料由于具有遷移率高、禁帶寬度小,與CMOS工藝具有較好的工藝兼容性等優(yōu)點(diǎn),成為制作高頻、低溫、低功耗器件的理想半導(dǎo)體材料。
本文的主要任務(wù)是設(shè)計(jì)了一個(gè)MOS電容高頻C-V特性的測試平臺。結(jié)合本專業(yè)本科生專業(yè)實(shí)驗(yàn)課的實(shí)際情況,本文運(yùn)用模塊化的設(shè)計(jì)思想,本著結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、元器件方便購買的原則,
2、設(shè)計(jì)了一種MOS電容高頻C-V測試平臺的硬件電路,包括其中的高頻信號產(chǎn)生模塊、電容檢測模塊、濾波模塊、檢波模塊、電源模塊等5個(gè)主要的功能模塊電路,最后結(jié)合USB7333B多功能數(shù)據(jù)采集卡,將本測試平臺調(diào)試成功。測試結(jié)果表明,在一定精度范圍下,本測試平臺能夠?qū)OS電容高頻C-V特性進(jìn)行有效測量。
本文還建立了應(yīng)變SiGe溝道PMOSFET的閾值電壓模型。首先建立了應(yīng)變SiGe溝道 PMOSFET的一維閾值電壓模型。在此基礎(chǔ)
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