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文檔簡介
1、MOS電容高頻C-V特性測量廣泛應用于全球的半導體制造行業(yè)和研究單位，為研究半導體表面的特性提供了一個非常有力的手段；SiGe 材料由于具有遷移率高、禁帶寬度小，與CMOS工藝具有較好的工藝兼容性等優(yōu)點，成為制作高頻、低溫、低功耗器件的理想半導體材料。
本文的主要任務是設計了一個MOS電容高頻C-V特性的測試平臺。結合本專業(yè)本科生專業(yè)實驗課的實際情況，本文運用模塊化的設計思想，本著結構簡單、成本低廉、元器件方便購買的原則，
2、設計了一種MOS電容高頻C-V測試平臺的硬件電路，包括其中的高頻信號產(chǎn)生模塊、電容檢測模塊、濾波模塊、檢波模塊、電源模塊等5個主要的功能模塊電路，最后結合USB7333B多功能數(shù)據(jù)采集卡，將本測試平臺調(diào)試成功。測試結果表明，在一定精度范圍下，本測試平臺能夠?qū)OS電容高頻C-V特性進行有效測量。
本文還建立了應變SiGe溝道PMOSFET的閾值電壓模型。首先建立了應變SiGe溝道 PMOSFET的一維閾值電壓模型。在此基礎
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