基于變分法的準(zhǔn)二維MOSFET閾值電壓的解析模型.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成電路邁向超大集成度、更快速、更大信息存儲量的步伐逐漸加快，為了滿足這些日益發(fā)展的需求，作為集成電路基本單元的MOS器件的尺寸也必須持續(xù)縮小。隨之而來的是MOS器件中溝道長度的不斷縮小，此時器件的電學(xué)特性已經(jīng)不能簡單的再用傳統(tǒng)的一維方法進行分析，由此出現(xiàn)了諸多的二維分析法。
　　 本文針對以上情況，首先建立普通的MOS模型，用半導(dǎo)體表面載流子與電場的作用能建立了載流子的能量積分，并證明了準(zhǔn)二維閾值電壓

2、的微分方程是能量積分的近似情況。再通過直接變分的方法求解了MOSFET表面勢的表達式，由此得到了一個簡單的超深亞微米MOSFET的閾值電壓表達式。另外，用同樣的方式對LDMOS模型建立積分并且求解得到它的閾值電壓表達式。這樣，我們從理論上證明了本文提出的準(zhǔn)二維變分法對于不同的MOS模型同樣具有適用性。
　　 我們用Medici軟件在同一模型中用不同的參數(shù)進行仿真和表達式計算，得出的結(jié)果高度一致。我們對ADS中的特定型號的MOS管

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