2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、功率電子器件是電磁干擾EMI(Electromagnetic Interference)的發(fā)射機(jī)。由于近年來科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和功率半導(dǎo)體器件開關(guān)性能的不斷改善,開關(guān)頻率不斷增加,電磁兼容成為一個(gè)重要的課題。功率 VDMOS(Vertical Double-Diffused MOSFET)器件作為功率開關(guān)管被應(yīng)用于不同工業(yè)領(lǐng)域中,器件工作在on/off的快速循環(huán)轉(zhuǎn)換狀態(tài),開關(guān)瞬態(tài)的電壓變化率dv/dt和電流變化率di/dt急劇變化,會(huì)產(chǎn)生很

2、高的EMI并輻射至周圍電路?;诖?,本文從VDMOS器件本身而非電路角度來研究其EMI特性,優(yōu)化VDMOS器件參數(shù),降低其在電源工作時(shí)的電磁干擾,不僅可以大大簡(jiǎn)化線路工程師的EMI設(shè)計(jì),還可以降低系統(tǒng)成本,提高可靠性,對(duì)提升器件的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力有明顯優(yōu)勢(shì)。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴從理論層面分析了功率VDMOS的EMI產(chǎn)生機(jī)理。功率VDMOS在高頻開關(guān)過程中柵電容快速充放電造成的高di/dt和dv/dt是產(chǎn)生EMI的主要原因。具體地

3、,VDMOS的EMI產(chǎn)生機(jī)理包括寄生電容引發(fā)的振蕩、柵極電壓的振蕩、漏極電壓的振蕩以及寄生體二極管引發(fā)的振蕩四個(gè)方面。然后,從優(yōu)化VDMOS寄生參數(shù)和優(yōu)化體二極管軟度因子的角度提出了功率VDMOS的EMI抑制技術(shù)。⑵通過仿真軟件MEDICI對(duì)影響VDMOS器件EMI性能的參數(shù)進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。具體通過改變不同寄生參數(shù)的值來分析它們對(duì)VDMOS關(guān)斷特性的影響,以關(guān)斷過程中電流、電壓波形的振蕩幅值(電流尖峰、電壓尖峰)來表征VDMOS本身所形

4、成的EMI的強(qiáng)弱。仿真發(fā)現(xiàn),柵電阻RG越大,寄生柵電容越大,寄生電感LD越小,VDMOS關(guān)斷瞬態(tài)的電壓和電流波形的振蕩幅值和振蕩次數(shù)明顯減小,EMI減小,與理論分析相符。⑶結(jié)合兩款VDMOS產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用電路中的EMI測(cè)試結(jié)果和它們本身的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比分析,進(jìn)一步驗(yàn)證了VDMOS開關(guān)過程中較大的di/dt和dv/dt可產(chǎn)生更嚴(yán)重的EMI,且適當(dāng)增加其柵極電阻RG、寄生電容CGS和CGD,減小漏極寄生電感LD,提高寄生體二極管軟

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