單相逆變器共模EMI分析及有源抑制技術(shù)研究.pdf

1、電力電子技術(shù)的發(fā)展使得采用脈寬調(diào)制（PWM）方式的逆變器得到了廣泛的應(yīng)用，如變頻器，不間斷電源（UPS）等。然而，高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，如IGBT、MOSFET的高頻通斷會(huì)產(chǎn)生很高的dt dv / ， dt di / ，形成很強(qiáng)的電磁干擾（EMI），其頻率可從幾kHz 直到數(shù)十MHz，嚴(yán)重的超出EMC 標(biāo)準(zhǔn)的極限值要求。本文研究?jī)?nèi)容主要有三個(gè)方面：?jiǎn)蜗嗳珮蚰孀兤鞴材８蓴_建模與預(yù)測(cè)；基于驅(qū)動(dòng)脈沖自校正的逆變器共模干擾抑制技術(shù)；基于共模電流能

2、量的共模干擾評(píng)估算法。 分析和闡明單相全橋逆變器傳導(dǎo)共模通路，并指出共模傳導(dǎo)干擾是由于逆變器橋臂中點(diǎn)對(duì)參考地的很大的dt dv / 對(duì)寄生電容的充放電作用。在分析已有單相逆變器等效電路模型的基礎(chǔ)上，發(fā)現(xiàn)其串聯(lián)等效方式不能很好的解釋某些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，從而提出了基于并聯(lián)等效的逆變器共模干擾等效電路。給出了模型在梯形波激勵(lì)下的時(shí)域解表達(dá)式，指出共模電流是一個(gè)衰減振蕩波形。在頻域分析中，150kHz－30MHz 范圍內(nèi)仿真頻譜和實(shí)測(cè)頻譜的

3、對(duì)比基本一致，證明了所提出的模型的正確性。 分析了各種調(diào)制策略下，單相全橋逆變器共模電流情況。指出雙極性調(diào)制下，兩橋臂產(chǎn)生的dt dv / 可互相抵消，共模干擾應(yīng)明顯小于單極倍頻調(diào)制下，且理論上為0。 但實(shí)際系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)脈沖傳輸延時(shí)不一致，導(dǎo)致橋臂中點(diǎn)電位跳變時(shí)刻不一致使得共模干擾較理論分析大很多。針對(duì)上述情況，提出了基于脈沖前沿自校正的逆變器共模干擾抑制技術(shù)。通過(guò)調(diào)整橋臂對(duì)管驅(qū)動(dòng)脈沖的前沿及后沿，使橋臂中點(diǎn)電位跳變嚴(yán)