碳化硅MOSFET應(yīng)用技術(shù)研究.pdf

1、碳化硅(SiC)器件作為一種新型功率器件，近年來以其適用于高溫高頻開關(guān)工作等突出優(yōu)勢受到廣泛的研究和應(yīng)用。對其特性進(jìn)行分析和評估、研究其驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)，具有重要意義。
　　本文著重研究SiC MOSFET，分析了器件特性及參數(shù)，建立了PSpice仿真模型，引入溫控電壓源和溫控電流源補(bǔ)償溫度特性，使該模型在較寬的溫度范圍內(nèi)有效，并考慮了SiC MOSFET負(fù)壓關(guān)斷的影響；研究了SiC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了Si

2、C MOSFET單管及構(gòu)成橋臂兩種應(yīng)用場合的驅(qū)動(dòng)電路，并進(jìn)行了高低溫實(shí)驗(yàn)條件下的測試，驗(yàn)證了模型及建模方法的合理性和有效性。
　　將SiC MOSFET應(yīng)用于雙有源橋變換器，結(jié)合采用一種改進(jìn)的移相控制策略，分析了變換器工作模態(tài)并建立了損耗分析模型；比較了SiC MOSFET與Si MOSFET在寄生參數(shù)、溫度特性、體二極管特性等方面的差異對變換器軟開關(guān)范圍、高溫特性及效率的影響。搭建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，驗(yàn)證了SiC MOSFET在提高變換