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文檔簡介
1、TiO2作為一種環(huán)境友好、廉價易得的n型半導體材料,以其良好的化學、熱穩(wěn)定性,無毒性,一直是光催化、光電領(lǐng)域的研究熱點,在染料敏化太陽能電池、光催化降解水和空氣污染物、光催化分解水制氫等領(lǐng)域具有廣闊應用前景。尤其在環(huán)境問題日益凸顯,能源問題愈發(fā)嚴峻的當今社會,利用光能轉(zhuǎn)化為化學能、電能,處理環(huán)境污染、開發(fā)清潔能源被視為解決這些問題的最有效途徑之一。TiO2作為在這一領(lǐng)域有良好表現(xiàn)的半導體材料,有著十分重要的研究意義。然而為盡可能的提高光
2、能的轉(zhuǎn)化效率,TiO2帶隙較寬、光生電子-空穴易復合等影響其性能發(fā)揮的缺陷需要被克服,研究工作者一直針對這些方而進行著不懈努力。對改善TiO2性能的嘗試涵蓋了摻雜、復合、敏化等手段。其巾,由于具有相近的離子半徑,匹配的電位,F(xiàn)e離子被視作一種有效的過渡金屬離子摻雜劑;Fe的氧化物(Fe2O3)則作為具有合適的能級結(jié)構(gòu),并且?guī)遁^窄(2.2eV)的n型半導體,通常被用來合成與TiO2的復合材料,以擴展TiO2的光響應范圍。本文利用不同鐵源
3、對TiO2納米管薄膜、粉體進行了改性的嘗試,希望通過簡便、安全、快捷的方式,合成改性TiO2半導體材料。論文主要研究結(jié)論如下:
1.利用“火熱法”制備嵌碳TiO2微球技術(shù),一步合成Fe摻雜的C-TiO2復合材料。配制鈦酸四丁酯和無水乙醇的混合溶液,通過直接點燃,對燃燒產(chǎn)物簡單研磨,得到可直接使用的TiO2光催化材料。XRD譜圖顯示,樣品的銳鈦礦晶型并未因體系中Fe的引入而破壞,適當濃度的摻雜更有利于銳鈦礦晶型形成。由SEM圖觀
4、察到,前驅(qū)體體系中不同鐵源的引入對材料形貌有很大影響,無機鐵源(FeCl3)的引入使微球形貌幾乎完全破壞,而有機鐵源(乙酰丙酮鐵)的引入對微球形貌影響不大。XPS測試結(jié)果反映了Fe在嵌碳TiO2體系中的存在形式為進入晶格替代Ti離子。UV-vis DRS光譜顯示,樣品在可見光區(qū)的吸收強度隨摻雜比例增加而提高。對樣品光照下降解亞甲基藍測試結(jié)果做動力學分析可知,以FeCl3做鐵源時,可見光下降解速率提高了14%;以乙酰丙酮鐵做鐵源時,紫外-
5、可見光下降解速率提高了22%。
2.采用陽極氧化方法制備Fe改性TiO2納米陣列。分別在電解液中加入無機鐵源FeCl3與Fe(NO3)3,對納米管薄膜同步改性,通過紫外-可見光、可見光下光電流密度的測試,探索此改性方法對半導體薄膜光電性能的影響。實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn),低濃度的FeCl3(0.01M)可造成Ti基底的嚴重腐蝕,難以制備Fe改性的樣品。對電解液中加入Fe(NO3)3所制成樣品進行光電性能測試,發(fā)現(xiàn)Fe(NO3)3濃度為0.
6、01M時所制得的樣品,在紫外一可見光下的光電流密度提高了一倍,可見光下光電流密度提高了50%。對各樣品進行EIS測試,Nyquist曲線反映,電解液中Fe(NO3)3濃度為0.01M、0.03M時,阻抗半徑小于未改性TiO2薄膜電極,即電荷界面轉(zhuǎn)移電阻減小。而電解液中Fe(NO3)3濃度升至0.05M時,薄膜電極阻抗值相對于未改性樣品增大。分析樣品的Mott-Schottky曲線可知,隨Fe(NO3)3濃度提高,平帶電位產(chǎn)生負移再正移的
7、變化趨勢。
3.利用TiO2納米管的大比表面積和對小粒子良好的吸附特性,通過浸漬-焙燒法,以藍黑墨水為鐵源,對半導體薄膜進行改性。通過控制不同的浸漬時間(10min,30min,90min)與熱處理溫度(450℃,550℃)等實驗條件,制備了多組TiO2納米管薄膜。對其進行光電性能測試,發(fā)現(xiàn)經(jīng)藍黑墨水處理的樣品均在紫外-可見光,可見光下發(fā)生光電流密度的衰減。由于藍黑墨水成分復雜,其他物質(zhì)可能在浸漬-焙燒過程中聚集于TiO2管口
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