納米尺度下光學(xué)鄰近校正的預(yù)處理與后驗(yàn)證研究.pdf

1、作為超大規(guī)模集成電路制造中圖形轉(zhuǎn)移部分(Pattern Transfer)的關(guān)鍵方法,光刻技術(shù)(Photo-1ithography)越來(lái)越顯得舉足輕重。特別是由于工藝進(jìn)入納米尺度,對(duì)于目前的65納米和45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn),因過(guò)于接近光刻成像系統(tǒng)的極限而使得實(shí)際刻出圖形有嚴(yán)重畸變,于是如分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhancement Technology,RET)和面向可制造性的設(shè)計(jì)輔助(Design For Manufactu

2、rability,DFM)成為不可或缺的一環(huán)。光學(xué)鄰近校正(Optical Proximity Correction,OPC)便是經(jīng)常使用的分辨率增強(qiáng)技術(shù)。一方面,亞分辨率輔助圖形(Sub-Resolution Assist Features,SRAF)作為光學(xué)鄰近校正的預(yù)處理步驟,會(huì)在主圖形周圍加入輔助圖形以改善光強(qiáng)對(duì)比度以及焦深。而另一個(gè)方面,熱點(diǎn)檢測(cè)(HotspotDetection)則是光學(xué)鄰近校正后驗(yàn)證的關(guān)鍵步驟,它以快速、可

3、靠定位光刻過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題區(qū)域,從而幫助光學(xué)鄰近校正配方進(jìn)行修復(fù)和調(diào)整。
　　 本文研究并提出了一種利用測(cè)試圖形優(yōu)化亞分辨率輔助圖形配方的方法,該法將一維參數(shù)與二維參數(shù)分步優(yōu)化。與傳統(tǒng)得到亞分辨率輔助圖形配方方法比較,能較好地減少邊放置誤差,改善工藝窗口,并減小配方的復(fù)雜度。通過(guò)65納米工藝節(jié)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn),表明了該種方法能夠減小10％的邊放置誤差。同時(shí)工藝窗口有很好改善,未出現(xiàn)亞分辨率輔助圖形刻出的現(xiàn)象。
　　 本文還實(shí)