7050鋁合金晶界特性分析及其對(duì)合金腐蝕行為的影響.pdf

1、本文采用了等溫時(shí)效及非等溫時(shí)效工藝,對(duì)7050鋁合金進(jìn)行熱處理,采用透射電鏡(TEM)對(duì)不同時(shí)效處理后,合金的晶內(nèi)析出相、晶界析出相、晶界無(wú)析出帶等的特征進(jìn)行觀察分析。尤其采用了透射電鏡中的HADDF-STEM模式觀察了晶界區(qū)域的成分分布,對(duì)晶界區(qū)域進(jìn)行EDS分析,半定量的研究不同合金元素在晶界處的分布情況。
　　利用掃描探針顯微鏡,測(cè)試不同時(shí)效處理后合金經(jīng)過(guò)化學(xué)刻蝕后的表面電勢(shì),尤其對(duì)晶界區(qū)域的表面電勢(shì)進(jìn)行了細(xì)致的分析。并對(duì)晶界

2、區(qū)域的成分與表面電勢(shì)之間的關(guān)系進(jìn)行了研究。經(jīng)過(guò)不同時(shí)效處理后合金的晶界區(qū)域三種合金元素的比例不同,晶界析出相是由一定比例的Cu、Mg、Zn三種元素組成的。隨著非等溫時(shí)效時(shí)間的延長(zhǎng),三種元素的強(qiáng)度比增加。晶界無(wú)析出帶位置Cu、Mg、Zn三種元素貧化,強(qiáng)度比低于基體。
　　本文通過(guò)測(cè)量動(dòng)電位極化曲線,對(duì)各時(shí)效態(tài)合金的點(diǎn)蝕電位、腐蝕電流進(jìn)行表征,分析點(diǎn)蝕的形貌及引起點(diǎn)蝕電位不同的誘因?；趧?dòng)電位極化試驗(yàn)樣品,進(jìn)行了EBSD分析,分析了點(diǎn)

3、蝕發(fā)生位置與晶界之間的關(guān)系,探討晶界特性與點(diǎn)蝕行為的相關(guān)性。發(fā)現(xiàn)點(diǎn)蝕往往在合金的晶界處優(yōu)先發(fā)生,并向晶內(nèi)擴(kuò)展。
　　采用EXCO溶液全浸方法,分析各時(shí)效態(tài)7050鋁合金的晶間腐蝕、剝落腐蝕行為,利用掃描電鏡(SEM)對(duì)合金去除腐蝕產(chǎn)物后的腐蝕形貌進(jìn)行觀察,得出以下主要結(jié)果。不同時(shí)效處理后的合金腐蝕發(fā)展過(guò)程相似,但腐蝕發(fā)展的速率不同。隨著浸泡時(shí)間的延長(zhǎng),可以看見(jiàn)腐蝕的發(fā)展過(guò)程是先在晶界處出現(xiàn)斷續(xù)的點(diǎn)蝕坑;然后點(diǎn)蝕坑不斷長(zhǎng)大,并向深向