富勒烯和疊層石墨烯分子器件電子輸運性質的理論研究.pdf

1、本文利用密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法對富勒烯和石墨烯納米帶兩種低維碳基納米材料的電子結構和輸運性質進行了理論計算。
　　 首先，研究了硼氮摻雜對富勒烯C82分子器件輸運性質的影響。研究發(fā)現(xiàn)，取代摻雜可以增強C82分子器件的電子輸運能力，并發(fā)現(xiàn)了負微分電阻現(xiàn)象。經(jīng)分析，我們認為偏壓的改變會引起電子波函數(shù)的分布變化，使分子與電極之間耦合發(fā)生非線性改變，從而導致負微分電阻現(xiàn)象出現(xiàn)。
　　 接著，本文研究了邊緣氫化對AB堆垛

2、的雙層石墨烯納米帶輸運性質的影響。研究發(fā)現(xiàn)，雙層石墨烯納米帶的輸運性質強依賴于氫化的位置。特別是，與電極相連的石墨烯納米帶邊緣的雙氫飽和，強烈的影響體系的輸運性質。
　　 最后，研究了多空位缺陷對AB堆垛的雙層石墨烯納米帶電子結構和輸運性質的影響?？瘴蝗毕莸囊雽е铝梭w系能隙的改變，缺陷在中央時能隙略有減小，而在邊緣時能隙明顯增大。并且，石墨烯納米帶中央缺陷的引入對輸運性質的影響不大，而邊緣處空位缺陷的引入使電流明顯增強。理論研