ZnO納米陣列的制備、改性及性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、新能源的開(kāi)發(fā)以及環(huán)境治理是解決能源短缺與環(huán)境惡化的主要手段,開(kāi)發(fā)治理成本高以及開(kāi)發(fā)治理效果不明顯仍是面臨的主要問(wèn)題。因此找到一種低成本的制備工藝和材料來(lái)有效的開(kāi)發(fā)新能源以及治理環(huán)境具有實(shí)際的研究?jī)r(jià)值。本文采用水熱法、化學(xué)浴以及光化學(xué)沉積法三種低成本的制備方法來(lái)制備ZnO納米陣列及其復(fù)合陣列,期望能夠?yàn)楹罄m(xù)進(jìn)一步低成本應(yīng)用提供一個(gè)參考。本文研究?jī)?nèi)容主要包括以下三個(gè)方面:
  (1)采用水熱法,以硝酸鋅為鋅源、六亞甲基四胺(HMTA)

2、為OH-源、聚乙烯亞胺(PEI)為添加劑、蒸餾水為溶劑,在FTO導(dǎo)電玻璃基底上制備ZnO納米陣列,系統(tǒng)研究了不同制備條件對(duì)合成ZnO納米陣列的影響。結(jié)果表明,隨著種子層溶液濃度增大,ZnO納米陣列高度以及直徑逐漸降低,垂直取向度逐漸增大,規(guī)整度增加;當(dāng)Zn2+/HMTA摩爾濃度比逐漸增大時(shí),納米陣列高度逐漸降低,直徑呈現(xiàn)先增后減的趨勢(shì),當(dāng)摩爾比為5∶5時(shí),其光學(xué)禁帶值與理論值接近為3.2 eV;隨著前驅(qū)體溶液濃度增加,納米陣列直徑和高度

3、呈逐漸增大的趨勢(shì),透射率逐漸降低,當(dāng)前驅(qū)體溶液濃度為50和75 mM時(shí),ZnO納米陣列由六棱柱針狀變向圓錐狀轉(zhuǎn)變;當(dāng)反應(yīng)溫度增加時(shí),納米陣列直徑和高度逐漸增大,透射率逐漸降低,并隨著溫度增加缺陷增多。當(dāng)Zn2+/HMTA濃度摩爾比為5∶5,前驅(qū)體溶液濃度為25 mM,反應(yīng)溫度增加為90℃時(shí)制備的ZnO納米陣列,結(jié)晶性、規(guī)整度相對(duì)最好。
  (2)采用化學(xué)水浴法,以硝酸銅為銅源、酒石酸鉀鈉(PSTT)為絡(luò)合劑、氫氧化鈉和碳酸鈉為堿性

4、介質(zhì)、甲醛為還原劑、蒸餾水為溶劑,在ZnO納米陣列基底上制備刺突狀CuO納米顆粒,研究了不同制備條件對(duì)合成刺突狀CuO/ZnO納米陣列的影響。結(jié)果表明:當(dāng)絡(luò)合劑PSTT濃度逐漸增大時(shí),在ZnO納米陣列表面覆蓋的CuO納米顆粒逐漸增多,顆粒直徑也隨之增加,復(fù)合陣列透射率逐漸增加;當(dāng)還原劑量逐漸增加時(shí),ZnO納米陣列表面覆蓋CuO納米粒子量逐漸減少,顆粒直徑也逐漸降低,透射率透射率逐漸增加。當(dāng)PSTT濃度為2.6 mM、甲醛量為0.125%

5、 v/v時(shí)制備的CuO/ZnO納米異質(zhì)結(jié)相對(duì)于純ZnO納米陣列在紫外光照射下表現(xiàn)出優(yōu)異的光催化性能,對(duì)MO溶液降解率達(dá)到92.8%;同時(shí)在紫外可見(jiàn)光范圍內(nèi)其吸收邊從380延伸至560 nm左右。
  (3)采用光化學(xué)沉積法,以硝酸銅為銅源、蒸餾水為溶劑,在ZnO納米陣列端部制備花朵狀CuO納米粒子團(tuán)簇結(jié)構(gòu),研究了不同制備條件對(duì)合成花朵狀CuO/ZnO納米異質(zhì)結(jié)的影響。結(jié)果表明:當(dāng)紫外光強(qiáng)度逐漸增大,陣列端部CuO納米粒子團(tuán)簇逐漸由

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