立方氮化硼薄膜中氧雜質(zhì)的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩79頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、立方氮化硼(cBN)是一種人工合成的寬帶隙Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體,它有許多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),如僅次于金剛石的硬度、高溫下強(qiáng)的抗氧化能力、不易與鐵系金屬反應(yīng)、可簡(jiǎn)單的n型和p型摻雜等,使其cBN薄膜在切削刀具、電子、光學(xué)器件等方面有著非常誘人的應(yīng)用前景,多年來一直吸引著國內(nèi)外眾多研究者的興趣。
　　 要把cBN薄膜用于高溫電子器件,必須先制備高純度的cBN薄膜,然后進(jìn)行可控?fù)诫s。而cBN薄膜多采用氣相生長技術(shù)制備,故cBN薄膜中氧雜質(zhì)的

2、檢測(cè)和控制對(duì)制備高純度的cBN薄膜、后續(xù)摻雜及其應(yīng)用尤其重要。
　　 本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相生長技術(shù)制備cBN薄膜,系統(tǒng)研究了背底真空度和生長過程中氧氣分量對(duì)cBN薄膜中氧雜質(zhì)含量的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)背底真空度提高至104Pa并不能完全消除立方氮化硼薄膜中的氧雜質(zhì)。氧分量的引入對(duì)薄膜的成核和生長都有抑制作用。當(dāng)B2H6的濃度為2.5％時(shí),薄膜形核的臨界氧氣濃度低于1.4％,但薄膜生長的臨界氧氣濃度可高于2.1％。
　　

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論