高質(zhì)量立方氮化硼薄膜的制備及其光電特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文主要研究cBN薄膜的制備、光學(xué)帶隙以及BN(n-type)/Si(p-type)異質(zhì)結(jié)的特性.使用射頻濺射(RF)系統(tǒng),靶材為燒結(jié)的六角氮化硼(hBN),工作氣體為氬氣(或氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚?,在硅襯底上沉積氮化硼薄膜.系統(tǒng)地研究了襯底偏壓、襯底溫度、工作氣壓、Si晶片的類型等多種因素對(duì)制備cBN薄膜的影響.薄膜用紅外光譜和X射線光電子能譜標(biāo)識(shí),薄膜的形貌用掃描電鏡和原子力顯微鏡觀察.用紫外-可見分光光度計(jì)測(cè)量了沉積在石英片上的BN

2、薄膜的透射光譜和反射光譜,用臺(tái)階儀測(cè)量薄膜的厚度.在p型硅晶片上,在薄膜沉積過(guò)程中就地用硫蒸氣摻雜而制備出n型氮化硼薄膜,用高阻儀測(cè)得BN(n-type)/Si(p-type異質(zhì)結(jié)的I-V&C-V曲線.基于優(yōu)化的沉積條件,制備出立方相含量高達(dá)92％的cBN薄膜.為了改善薄膜對(duì)襯底的粘附性,發(fā)展了兩步沉積方法,將沉積過(guò)程分成成核和沉積兩步.由第一步到第二步,工作氣體由氬氣變?yōu)闅鍤夂偷獨(dú)獾幕旌蠚怏w,同時(shí)偏壓和溫度降為較低的值.傅立葉紅外(F

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