立方氮化硼金半接觸的特性研究及硅量子點的制備.pdf

1、立方氮化硼(CBN)是一種超硬寬帶隙材料，不僅具有僅次于金剛石的硬度、在高溫下有強的抗氧化能力、不易與鐵族金屬反應(yīng)，因此可用于切削工具等，而且，能夠?qū)崿F(xiàn)n型或p型摻雜，在電子學(xué)和光學(xué)器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。CBN薄膜的制備和性質(zhì)研究一直是國際材料科學(xué)界的研究熱點和難點之一。本文主要研究了高質(zhì)量半導(dǎo)體CBN薄膜的制備以及BN肖特基結(jié)的特性。
　　 用射頻磁控濺射(RF)方法在硅襯底上沉積了氮化硼薄膜。對CBN薄膜進行了離子注

2、入摻雜，以硫(S)作為摻雜劑，獲得了CBN薄膜的N型摻雜。通過對幾種樣品薄膜進行不同劑量的S摻雜，研究了立方相含量相同：20％，摻雜劑量不同時的I-V曲線，得出摻雜劑量為5*1015ions/cm3時，電導(dǎo)率最大，發(fā)現(xiàn)摻雜劑量越大越容易形成立方相氮化硼。并用KEITHLEY4200測試薄膜的I-V特性，通過觀察I-V特性曲線發(fā)現(xiàn)立方相含量越大，曲線的整流特性越明顯。摻雜劑量相同：5*1014ions/cm3，改變薄膜的立方相含量，發(fā)現(xiàn)立

3、方相為40％時曲線的整流特性越明顯。通過I-V曲線的測量分別分析了退火溫度、摻雜劑量對金半接觸的影響，發(fā)現(xiàn)當對薄膜進行退火后能實現(xiàn)接觸特性的轉(zhuǎn)變。
　　 硅是具有良好半導(dǎo)體特性的材料，是微電子的核心材料之一?？晒璨牧喜皇呛玫陌l(fā)光材料。只有當硅納米微粒的尺寸小到一定值時，才可在一定波長的光激發(fā)下發(fā)光。硅納米晶薄膜發(fā)光材料在實現(xiàn)微電子技術(shù)向光電子集成技術(shù)發(fā)展中具有重大意義，因此一直是人們不懈追求的目標。
　　 本論文中用射頻

4、磁控濺射的方法，通過退火來制備硅量子點，以純硅為靶材，硅片為襯底，工作氣體為氧氣和氬氣的混合氣體。通過改變氧氣比例、濺射功率、退火溫度，保持襯底溫度、工作氣壓、和其它條件不變來找到制備硅量子點的最佳條件。此外對制備的薄膜進行了FTIR、XPS、拉曼等測試。研究結(jié)果顯示工作氣體中氧氣比例的變化導(dǎo)致了峰位的移動，隨著氧氣含量在工作氣體中的增大彎曲振動模式的峰向高波數(shù)方向移動，隨著退火溫度的增加，810cm-1處的峰逐漸減小，并且向高波數(shù)方向