二維過渡金屬硫族化合物納米片的制備及其光熱抗菌的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二維過渡金屬硫族化合物(2D TMDCs)作為一種類石墨烯材料在近年受到了來自全世界研究者的熱切關(guān)注。當塊體的TMDCs被剝離成超薄納米片層時它的電子結(jié)構(gòu)會發(fā)生顯著變化。超薄二維納米結(jié)構(gòu)使TMDCs材料具備了獨特的電學、光學、化學以及催化特性,這使其在如太陽能電池、產(chǎn)氫催化、鋰電池、生物傳感等諸多領(lǐng)域都有非常好的應(yīng)用。
  制備2D TMDCs納米片層材料的方法中,機械剝離與化學氣相沉積都可以制備出單層2D TMDCs納米片,但都

2、存在產(chǎn)量過低,工藝繁瑣的問題;膠體化學產(chǎn)量較高,但可控性與重復性較差;液相剝離法的優(yōu)點是方法簡便,但很難得到單層的2D TMDCs納米片,且產(chǎn)率較低;化學插層法可以制備單層的2D TMDCs納米片,且方法簡單容易操作,相對而言通用性較高,但也存在反應(yīng)時間較長,產(chǎn)量較低,需要高溫等問題。本文利用超聲機制可以在微小區(qū)域提供局部的高溫高壓這一特點,采用超聲方法改進傳統(tǒng)化學插層法,分別制備了MoS2、WS2、TiS2三種二維納米材料,并探討了超

3、聲增強化學插層方法的機理。文章主要分為以下三個部分:
  1.開發(fā)出了一種超聲增強鋰插層方法,快速高產(chǎn)量的制備出了單層 MoS2納米片,并探索了這一方法的反應(yīng)機制。
  2.利用超聲增強鋰插層方法制備出了單層WS2納米片與單層TiS2納米片,證明該方法具備了一定的通用性,可以制備相對較難剝離的二維納米材料。
  3.針對抗生素濫用這一問題,本文利用MoS2納米片優(yōu)秀的近紅外光熱特性,采用金黃色葡萄球菌抗體修飾MoS2納

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