利用PCB堿性蝕刻廢液制備納米銅導(dǎo)電膠.pdf

1、本論文的目的是以堿性蝕刻廢液為銅來源，先通過制備納米銅粉，最終制備納米銅導(dǎo)電膠。本論文的研究主要內(nèi)容包括兩個(gè)部分，一個(gè)是以堿性蝕刻廢液為銅來源，利用液相化學(xué)還原的方法制備納米銅粉;第二個(gè)部分是以制備出來的納米銅粉為導(dǎo)電填充料，添加到基材樹脂中制備納米銅粉導(dǎo)電膠。
　　 以堿性蝕刻廢液為銅來源，利用液相化學(xué)還原的方法制備納米銅粉，討論了堿性蝕刻廢液中銅濃度，制備納米銅的還原劑種類，還原劑濃度、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度以及十六烷基三甲基溴

2、化銨（CTAB）和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)對(duì)制備納米銅粉的影響，通過實(shí)驗(yàn)得出以水合肼(N2H4·H2O)為最佳還原劑，還原劑濃度0.523mol/L、反應(yīng)時(shí)間30min、反應(yīng)溫度70℃、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和十六烷基三甲基溴化銨（CTAB）的質(zhì)量濃度分別0.003g/L、0.002g/L為最佳制備工藝參數(shù)。
　　 利用原子吸收光譜法(AAS)對(duì)反應(yīng)前后堿性蝕刻廢液銅濃度檢測(cè)，反應(yīng)前銅濃度為136.467g/L，反應(yīng)后濾液中銅

3、濃度在2mg/L以下，銅的回收率在98％以上。通過X射線衍射分析(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射能譜分析(EDS)、X射線衍射電子能譜分析(XPS)、外可見光光譜分析(UV-vis)、紅外可見光光譜分析(FI-TR)、熱重分析(TG/DTA)等測(cè)試手段以及Schemer方程對(duì)納米銅粉進(jìn)行表征，得出制備出來的納米銅形狀是球狀，顆粒尺寸在100nm以下，純度高，抗氧化性好。
　　 以制備的納米銅粉為導(dǎo)電填充料添加到由

4、環(huán)氧樹脂、固化劑以及各種添加劑組成的有機(jī)物質(zhì)中制備納米銅導(dǎo)電膠。實(shí)驗(yàn)研究了增韌劑、硅烷偶聯(lián)劑、還原劑等各種添加劑對(duì)導(dǎo)電膠性能的影響和它們最佳添加值，研究發(fā)現(xiàn)不同的添加劑對(duì)導(dǎo)電膠性能的影響是不同的，實(shí)驗(yàn)最終選擇氣相納米二氧化硅為增韌劑，KH570為硅烷偶聯(lián)劑，甲醛為還原劑，它們最佳質(zhì)量添加量分別為1.5％、4％、3.0-3.5％。同時(shí)，也研究了納米銅粉添加量對(duì)導(dǎo)電膠性能的影響，得出銅粉最佳的添加量為80％。在各種成分最佳添加量的情況下，制