12英寸晶圓表面對銅電鍍工藝的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、銅電鍍技術(shù)(ECP)是現(xiàn)代銅互連工藝相當(dāng)重要的一環(huán)。在電解槽中各種化學(xué)成分的作用下，銅能以一種“bottom-up”或者“supper fill”的形式對Trench進行填充。然而，銅的填充效果不僅決定于ECP制程本身的工藝控制，同時還受到晶圓表面形貌的影響，其直接表現(xiàn)在ECP之后的銅膜厚度差異。也就是在銅填充后，晶圓表面形貌的差異。在本文中，我們詳細(xì)研究了線寬(Line-width，LW)和圖形密度（Pattern density，P

2、D）對ECP工藝中銅膜生長的影響。
　　實驗結(jié)果表明：1)固定LW，在窄線寬和寬線寬之間，test features Array-Height（簡稱AH）和Step-Height(簡稱SH)都會隨著PD的改變呈現(xiàn)出明顯的趨勢：當(dāng)線寬較窄(LW<0.3um)時，AH會隨著PD上升呈拋物線趨勢上升；當(dāng)線寬較寬(LW>1um)時，AH都會隨著PD上升呈拋物線趨勢下降。而SH的變化趨勢正好與AH的變化趨勢相反；
　　2)固定 PD，

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