電鍍工藝優(yōu)化對銅金屬層孔洞缺陷的影響.pdf

1、隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，互連對芯片速度、可靠性、功耗等性能的影響越來越大。互連材料和工藝技術的改進成為集成電路技術進步的重要關鍵之一。后端互連技術，已經逐步從鋁互連過渡到銅互連。在0.13μm及其以下的技術節(jié)點中，銅互連技術已經成為主流。在引入電鍍銅工藝的同時我們也不得不面對一些銅線工藝所特有的缺陷，如銅線和低K值介電質可靠性問題，以及電鍍銅后產生的孔洞缺陷等問題。本文對金屬層孔洞缺陷產生的機理進行研究分析，重點對電鍍銅工藝進行優(yōu)

2、化，針對孔洞缺陷產生不同機理設計相關實驗方案。通過對比電鍍銅工藝中不同的轉速對孔洞缺陷的影響，得到電鍍時轉速與孔洞缺陷的關系；通過對比電鍍后到化學機械研磨之間不同等待時間的實驗結果，得到電鍍后到化學機械研磨之間等待時間長短與孔洞缺陷的關系；根據對比不同的退火溫度和退火時間的實驗結果，并通過選擇合適的退火條件，既可以有效控制銅金屬層后孔洞缺陷，又不會對銅金屬層的電導率和內應力造成大的影響。在本項研究工作中，根據實際生產應用降低成本，提高效