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文檔簡介
1、21世紀,隨著傳統(tǒng)化石能源即將面臨枯竭,能源危機和環(huán)境污染問題將愈發(fā)嚴重,尋找可替代的再生新能源成為全球各國不得不面臨的重要問題。與此同時,隨著技術的進步,銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池以其高轉換效率、高穩(wěn)定性和成本低廉(相對其它太陽能電池而言)引起政府管理者們的廣泛關注。但是CIGS薄膜太陽能電池要實現(xiàn)大規(guī)模產業(yè)化,取代傳統(tǒng)化石能源,還急需解決一些關鍵性技術問題。本論文著重就真空濺射后固態(tài)源硒化法制備CIGS薄膜太陽能電池工藝中存
2、在的一些問題,系統(tǒng)地進行了一些有意義的探索,如Cu-In-Ga金屬預制層對硒化后CIGS薄膜性能的影響和Cu2-xSe相生成問題等。因此,本論文著重從以下兩個方面的問題來加以分析討論。
首先,我們深入系統(tǒng)地研究了Cu-In-Ga金屬預制層對硒化后CIGS薄膜性能的影響。通過對不同實驗參數(shù)制備出來的Cu-In-Ga金屬預制層的進行XRD和掃描電子顯微鏡分析,我們探討分析了Cu-In-Ga金屬預制層可能的成相過程,以及對Cu-
3、In-Ga金屬預制層形貌的影響。然后通過固態(tài)源硒化Cu-In-Ga金屬預制層制備出CIGS薄膜,研究它們的表面形貌和相結構,來進一步地分析Cu-In-Ga金屬預制層的成相機理。最后,總結出了我們實驗室制備Cu-In-Ga金屬預制層的最佳濺射參數(shù)。
其次,為了在硒化過程中,遏制硒化銅(Cu2-xSe)相的形成,避免后續(xù)氰化鉀處理帶來的相關人員安全和環(huán)境保護問題,本論文全面地研究了硒化工藝。實驗中,我們改變升溫速率、硒化時間、
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