磁控濺射制備MgO薄膜及物性研究.pdf

1、MgO晶體為巖鹽結(jié)構(gòu)，是一種面心立方晶體，具有許多優(yōu)良性質(zhì)。其晶格常數(shù)和某些鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料十分相近，且熱穩(wěn)定性好，絕緣性強(qiáng)，適合作為高溫超導(dǎo)氧化物、鐵電材料和高磁阻材料的緩沖層使用。同時(shí)，MgO薄膜因其二次電子發(fā)射系數(shù)高、抗濺射能力強(qiáng)以及光透性好的優(yōu)點(diǎn)，在微電子器件和等離子顯示領(lǐng)域都具有十分關(guān)鍵的作用。因此，制備高質(zhì)量、性能優(yōu)越的MgO薄膜具有重要的科學(xué)意義和廣闊的應(yīng)用前景。
　　本文采用磁控濺射法制備MgO薄膜，用純度為99.

2、9％的Mg靶作為靶材，在氧氣和氫氣混合氣氛中生長薄膜。并分別在襯底溫度、襯底材料、濺射時(shí)間上進(jìn)行參數(shù)控制，研究各個(gè)工藝參數(shù)對(duì)MgO薄膜微觀結(jié)構(gòu)、形貌、生長取向的影響。利用X射線衍射儀（XRD）和掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了測試。實(shí)驗(yàn)表明，在襯底溫度為400℃、襯底材料為石英片以及濺射時(shí)間為3小時(shí)的工藝條件下，生長的薄膜顆粒比較大以及平整度較好，即容易生成結(jié)晶質(zhì)量比較好的薄膜。
　　對(duì)在上述較好的工藝條件下制