微波腔體耦合器內(nèi)表面濺射金屬化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著移動通信的高速發(fā)展,網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)容升級和基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè),成為目前國內(nèi)通信業(yè)跨越式發(fā)展的必要條件,其中,室內(nèi)覆蓋分布系統(tǒng)工程則是一個龐大的工程。室內(nèi)分布系統(tǒng)中的腔體耦合器,起著消除盲區(qū)、抑制干擾、穩(wěn)定信號的作用,在移動通信信號分布上占有重要地位。
  為了提高傳輸特性,需要在這種微波腔體之內(nèi)表面鍍覆銀層,這一工藝稱為金屬化。在國內(nèi),幾乎都是采用化學(xué)電鍍法對腔體進(jìn)行金屬化,不僅污染大,成本高,而且鍍層與基底結(jié)合力差,容易脫落,這對耦合

2、器內(nèi)表面金屬化課題提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
  本課題嘗試采用磁控濺射技術(shù)對耦合腔體進(jìn)行金屬化。通過建模仿真研究,確認(rèn)采用一定膜厚配比的Cu/Ag復(fù)合膜系,完全可以代替銀膜,實現(xiàn)各項微波性能,并降低生產(chǎn)成本;采用濺射工藝和復(fù)合膜系,成功地制備了結(jié)合力強(qiáng)、微波性能優(yōu)良的耦合腔體內(nèi)表面膜,為微波耦合腔體金屬化的綠色制造提供了一種新途徑。
  論文的主要研究內(nèi)容與成果有:
  1.通過建模與仿真研究認(rèn)為,對于800M-2500MH

3、z頻段的6dB腔體耦合器,使用幾微米的Cu+Ag的復(fù)合膜系完全可以替代幾十微米純銀膜進(jìn)行金屬化,并計算出Cu/Ag膜的最佳配比,不僅可以提高膜層與腔體的結(jié)合力,而且大大節(jié)省了金屬化的成本,這為微波腔體的濺射金屬化的可行性提供了理論依據(jù)與實驗指導(dǎo)。
  2.采用磁控濺射工藝以及復(fù)合膜系結(jié)構(gòu),系統(tǒng)地研究了濺射工藝對腔體微波性能的影響,首次成功地實現(xiàn)了微波腔體內(nèi)表面濺射金屬化。研究結(jié)果表明:采用磁控濺射法沉積的2μmCu/2μmAg膜結(jié)

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