形狀記憶合金-硅復(fù)合膜驅(qū)動(dòng)性能的非線性力學(xué)分析.pdf_第1頁(yè)
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1、MEMS技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟了一個(gè)全新的技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè),采用MEMS技術(shù)制作的微傳感器、微執(zhí)行器、微型構(gòu)件、微機(jī)械光學(xué)器件、真空微電子器件、電力電子器件等在航空、航天、汽車(chē)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)控、軍事以及幾乎人們所接觸到的所有領(lǐng)域中都有著十分廣闊的應(yīng)用前景。MEMS技術(shù)正發(fā)展成為一個(gè)巨大的產(chǎn)業(yè),就象近20年來(lái)微電子產(chǎn)業(yè)和計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)給人類(lèi)帶來(lái)的巨大變化一樣,MEMS也正在孕育一場(chǎng)深刻的技術(shù)變革并對(duì)人類(lèi)社會(huì)產(chǎn)生新一輪的影響。以硅為基底的記憶合金薄膜

2、微驅(qū)動(dòng)器以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、作功能力強(qiáng)、響應(yīng)快、易于集成化制造等優(yōu)點(diǎn),成為微驅(qū)動(dòng)器發(fā)展的重要組成部分。
   本文在考慮Si基底膜對(duì)溫度場(chǎng)影響的基礎(chǔ)上,首先對(duì)形狀記憶合金/硅復(fù)合膜工作時(shí)的溫度場(chǎng)進(jìn)行了理論建模,然后利用MATLAB軟件對(duì)NiTi記憶合金/硅復(fù)合膜在一個(gè)完整的熱循環(huán)過(guò)程中的溫度響應(yīng)特性進(jìn)行了數(shù)值模擬與優(yōu)化,得出了NiTi記憶合金/硅復(fù)合膜在加熱/冷卻過(guò)程中溫度響應(yīng)變化規(guī)律,并討論了各參數(shù)對(duì)其溫度變化的影響。
  

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