雙極模式靜電感應(yīng)晶體管(BSIT)的制備以及性能研究.pdf

1、靜電感應(yīng)器件(SID)是一種新興的具有垂直導(dǎo)電溝道的電力半導(dǎo)體器件，其品種包括靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)。雙極模式靜電感應(yīng)晶體管(BSIT)是靜電感應(yīng)晶體管中一個重要的門類，其具有雙極型器件的電流輸出特性，同時也具有MOS型器件的大功率、高頻的特點。
　　 本文首先分析了BSIT器件工作的原理，并從理論上分析了影響B(tài)SIT器件性能的幾個關(guān)鍵參數(shù)，進(jìn)而通過計算機(jī)模擬仿真軟件將BSIT器件進(jìn)行仿真，從而證明

2、了BSIT在同等情況下的電流密度相對較高、擊穿耐壓高、安全工作區(qū)寬、頻率高，是一種比較理想的電力電子功率器件。
　　 其次，對不同縱向結(jié)構(gòu)的BSIT進(jìn)行了對比，根據(jù)現(xiàn)有半導(dǎo)體生產(chǎn)線的實際情況，最終的設(shè)計使用了復(fù)合柵型的BSIT結(jié)構(gòu)。針對此種結(jié)構(gòu)，設(shè)計了相應(yīng)的版圖和工藝流程，并對關(guān)鍵的工藝控制條件進(jìn)行闡述。
　　 最后，將研制的BSIT成品管在電子節(jié)能燈上進(jìn)行了應(yīng)用，試驗結(jié)果表明，在同等應(yīng)用環(huán)境下，BSIT器件具有較高的性