埋柵型電力靜電感應(yīng)晶閘管的研制.pdf

1、　　本文首先介紹了半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展概況，對各種半導(dǎo)體功率器件的電性能與靜電感應(yīng)器件進(jìn)行了比較。介紹了SITH的基本結(jié)構(gòu)形式和特點(diǎn)，對SITH的I—V特性和基本作用機(jī)理進(jìn)行了分析和討論。SITH的基本結(jié)構(gòu)是在p+n-n+二極管的n-區(qū)設(shè)置了一個控制陰極電子注入的p+柵極。當(dāng)柵極加反向偏壓時，兩柵區(qū)之間的溝道被耗盡層夾斷，在陰極和陽極之間建立起控制電流的勢壘?！　”菊撐墓ぷ鲗ITH的制造工藝及關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)研究，設(shè)計出了切

2、實(shí)可行，符合工藝條件的工藝流程。在保證I—V特性正確的前提下，使SITH的柵陰擊穿電壓從原來的7～8V提高到38V。研究了深槽與臺面刻蝕對SITH電性能的影響，及腐蝕工藝中的掩蔽保護(hù)技術(shù)，得到了抗蝕性很強(qiáng)的掩蔽層。深槽刻蝕切斷了各種寄生電流成分對對器件I—V特性的影響，改善了器件電性能。論文工作還對控制外延層方塊電阻及導(dǎo)電類型的染磷工藝進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，比較了擴(kuò)散染磷與外延染磷的區(qū)別，認(rèn)為外延染磷雖然工藝復(fù)雜一些，但效果比擴(kuò)散染磷更好。