Ag納米顆粒表面等離子體增強(qiáng)的ZnSe納米帶光電器件的性能研究.pdf

1、硒化鋅(ZnSe)是一種重要的Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=2.7 eV，其在光電探測(cè)、光伏以及發(fā)光器件方面均具有重要的應(yīng)用。此外，硅(Si)是目前的支柱材料，但是其在光電子器件方面的研究受限。因此，提高ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)的性能具有重要的研究意義。貴金屬納米金屬顆粒的局域表面等離子體共振(LSPR)在很多方面引起了注意，可以很好的提高光捕獲的能力，這樣的特性對(duì)于提高納米結(jié)構(gòu)的光電子器件的性能非常重要，使納米顆粒在光捕獲和吸收方面

2、擁有潛在的優(yōu)勢(shì)。
　　本文通過(guò)溶液法對(duì)ZnSe納米帶進(jìn)行銀(Ag)納米顆粒的修飾，利用其表面等離子體共振增加ZnSe納米帶對(duì)光的吸收，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提升異質(zhì)結(jié)器件的效果，使其更加適合光電器件的制備。具體成果如下:
　　1、以Sb為摻雜源，通過(guò)熱蒸發(fā)方法成功合成了p型ZnSe∶Sb納米帶。獲得的納米帶為單晶閃鋅礦結(jié)構(gòu)，形貌均勻，符合所需的要求。
　　2、通過(guò)Lee-Meisel方法成功制備了不同大小的Ag納米顆粒，分別為39n

3、m、48 nm和64 nm。隨著納米顆粒尺寸的增加，峰值逐漸紅移。當(dāng)不同大小納米顆?；旌虾?，相比單一納米顆粒的峰值紅移。
　　3、將Ag納米顆粒修飾到ZnSe納米帶上，可知LSPR的作用使得納米帶的吸收增強(qiáng)，為光電器件性能的提高打下良好的基礎(chǔ)。
　　4、成功制備了ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)器件，研究不同器件的光電性能。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，修飾Ag納米顆粒后，器件性能明顯提高。而且，修飾39+64nm的器件的性能最好。ZnSe和Si異