表面等離子體增強(qiáng)的基于一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器研究.pdf_第1頁
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1、硒化鎘(CdSe)以及硫化鉍(Bi2S3)由于室溫下具有適中的禁帶寬度，吸引了廣泛注意，并被用來制造各種電子和光電子器件。然而，基于其二者納米結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器件性能卻受到響應(yīng)度低的限制，研究發(fā)現(xiàn)這是由于CdSe與Bi2S3納米帶的截面較小，常常只有幾十納米。
　　在本論文中，我們研究了一種具有等離子體效應(yīng)并對(duì)紅光有高靈敏度的光電探測(cè)器。這種光電探測(cè)器是由CdSe、Bi2S3納米帶及其表面修飾的一層具有等離子效應(yīng)的空心納米金顆粒(H

2、GNs)組成，可以通過局部表面等離子體共振(LSPR)來耦合入射光。
　　研究發(fā)現(xiàn)修飾了HGNs的CdSe、Bi2S3納米帶光電探測(cè)器對(duì)650nm的紅光有明顯的敏感性，并且重復(fù)性優(yōu)異。此外，相比未經(jīng)修飾的光電探測(cè)器，光電流有很大的提高，這也導(dǎo)致了修飾后的器件響應(yīng)度，探測(cè)率都有所提高。通過理論模擬，我們發(fā)現(xiàn)光電流的增加是由于光激發(fā)HGNs產(chǎn)生LSPR特性促使其直接將電子轉(zhuǎn)移到CdSe、Bi2S3納米帶里。研究的總體表明修飾空心納米金

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