一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)可控制備及其光電探測(cè)器的研究.pdf

1、一維半導(dǎo)體納米線具有獨(dú)特的光電特性、柔性和易于集成等特點(diǎn)，因此吸引了科學(xué)家們廣泛的關(guān)注。然而，制備出基于一維納米線的高性能光電探測(cè)器仍然面臨著許多困難。本文利用氣相沉積法制備了高質(zhì)量的單晶納米線，并且制備出了基于有機(jī)納米線陣列或無機(jī)核/殼納米線的高性能光電探測(cè)器。主要研究結(jié)果如下：
　　一、首先用金納米顆粒在Si襯底上修飾不同的納米金圖案，然后在此襯底上制備出了高密度、大面積、均勻且交叉站立的圖案化 PTCDA納米線。以沉積有電極

2、對(duì)圖案的Si/SiO2為襯底實(shí)現(xiàn)了納米線在電極上的選擇性生長(zhǎng)，其中納米線在器件溝道上方交叉接觸。這種一步法構(gòu)筑的基于 PTCDA納米線的光電探測(cè)器具有很好的器件性能如很高的靈敏度、很快的響應(yīng)速度以及在400~800 nm的寬光帶區(qū)都有響應(yīng)特性等。有機(jī) PTCDA納米線陣列在光電探測(cè)器上的成功應(yīng)用揭示了有機(jī)納米線在小型化、柔性化和集成化的光電探測(cè)器上具有很大的應(yīng)用前景。
　　二、基于氣相-液相-固相機(jī)制，以金顆粒作為催化劑在管式爐里

3、成功的制備出了高密度的Ge納米線。通過原子層氣相沉積（ALD）技術(shù)在Ge納米線表面上直接沉積一層 CdS薄膜殼層制備出了Ge/CdS核/殼納米線。經(jīng)過光刻技術(shù)去除Ge/CdS核/殼納米線表面的部分CdS薄膜殼層以及經(jīng)過電極沉積后制備出了基于Ge/CdS核/殼納米線異質(zhì)結(jié)型的光電探測(cè)器。在0 V以及-5 V的偏壓下，Ge/CdS核/殼納米線異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器具有較高的開關(guān)比、很快的響應(yīng)速度以及在可見-近紅外的光電響應(yīng)性能?；贕e/CdS核