準一維半導體納米材料的制備及其性能研究.pdf

1、本文以制備新型準一維納米結構半導體材料為主要目的。在深入了解國內外本領域的科研成果的基礎上，對氧化鋅材料以及硫化鋅材料的準一維納米結構的制備及其性能進行了研究。 采用無催化劑的簡單熱蒸發(fā)的方法，成功地合成了多種形態(tài)的氧化鋅準一維納米結構和硫化鋅摻錳的納米線和納米帶。我們制備的氧化鋅納米結構主要形態(tài)包括：納米蓮蓬、納米塔、納米神杵、納米白菜、納米銅錢、納米管、納米梳狀環(huán)和彈簧等。通過掃描電鏡對各種形貌進行了形貌表征并對其各自的生長

2、機制進行了探討。 在所制備的氧化鋅納米結構形態(tài)中最為新穎的是納米蓮蓬，這是我們首次制備成功的。掃描電子顯微鏡分析表明：納米蓮蓬分別在襯底和納米橋上取向生長，整體團簇直徑較大，平均為2μm左右，納米橋的厚度也在1μm左右，但是組成團簇的納米棒和納米針的直徑卻很小，平均在70nm左右。X射線衍射譜和喇曼散射譜分析表明它們都是純度很高的沿c軸方向高度取向生長的纖鋅礦結構晶體。 我們對氧化鋅納米蓮蓬的場發(fā)射性能和光學性能進行了測