半導(dǎo)體納米材料的制備與性能研究.pdf

1、一維納米結(jié)構(gòu)如納米柱、納米帶等，由于它們具有獨(dú)特的物理特性而具有廣泛的應(yīng)用，并逐漸成為一個(gè)熱門的研究領(lǐng)域。納米結(jié)構(gòu)可以作為納米尺寸器件的制備材料，亦可以作為研究物質(zhì)在納米尺度上的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和磁學(xué)特性等物理性質(zhì)的理想體系。探索納米材料的可控制備，并研究其獨(dú)特的物理等性質(zhì)具有重大的意義。近年來，作為寬帶隙的半導(dǎo)體納米材料，CdS、ZnS半導(dǎo)體材料具備優(yōu)異的光、電、磁等性質(zhì)，一直受到科研工作者的廣泛關(guān)注。
　　因此，本文通過物理氣

2、相沉積法研究了不同形貌的CdS納米材料的制備，并研究了不同生長(zhǎng)條件，金膜厚度、沉積溫度、載流氣體流速對(duì)CdS納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的影響，在一定程度上實(shí)現(xiàn)了CdS納米材料的可控生長(zhǎng)制備。并對(duì)所制備的樣品進(jìn)行了SEM、XRD、PL光譜分析。制備了ZnS納米帶結(jié)構(gòu)，并以其為基礎(chǔ)，再次通過物理氣相法，成功合成了ZnS納米帶／CdS納米棒異質(zhì)結(jié)。本文亦探索了硅微納籽晶陣列的制備工藝，通過直接氣相制備技術(shù)制備了超薄晶硅薄膜，為柔性晶硅薄膜轉(zhuǎn)移奠定了一定的基