Ⅱ-Ⅵ族低維納米半導(dǎo)體材料的制備及性能研究.pdf

1、低維II-VI族半導(dǎo)體納米材料由于其新穎的物理、化學(xué)和生物學(xué)特性以及在納米器件和生物醫(yī)藥領(lǐng)域中的潛在應(yīng)用價(jià)值成為當(dāng)今納米技術(shù)的研究熱點(diǎn)。而形貌和粒度人工可控的II-VI族半導(dǎo)體材料的制備無(wú)論從基礎(chǔ)研究還是應(yīng)用的角度來(lái)看，都有著重要的意義。 本文利用有機(jī)物輔助水熱法制備了不同形貌的氧化鋅，研究表明不同的有機(jī)添加劑對(duì)產(chǎn)物的形貌有很大影響，乙二胺四乙酸二鈉(EDTA)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為一維棒狀氧化鋅，十六烷基三甲基溴化銨(CTAB

2、)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為片狀氧化鋅，聚丙烯酰銨(PAM)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為針狀團(tuán)簇氧化鋅，而十二烷基苯磺酸鈉輔助水熱法制備的產(chǎn)物和純水熱法制備的產(chǎn)物類(lèi)似，形狀不規(guī)則。研究了不同EDTA用量、溫度、時(shí)間對(duì)產(chǎn)物的影響。并從過(guò)飽和度的角度結(jié)合負(fù)離子配位多面體生長(zhǎng)基元理論模型和有機(jī)物的軟模板作用對(duì)不同有機(jī)物添加劑對(duì)ZnO納米結(jié)構(gòu)形貌的影響機(jī)理作了初步解釋。 本文還用含硫配體為包覆劑在水浴回流條件下制備了水溶性的CdSe量子點(diǎn)，通過(guò)尺

3、寸選擇沉積方法得到了不同粒度的樣品。并研究了包覆劑、溫度、pH值、Cd2+/HSe-比、濃度、鎘鹽等反應(yīng)條件對(duì)CdSe量子點(diǎn)水相生長(zhǎng)過(guò)程的影響。研究結(jié)果表明：包覆劑、溫度、pH值、Cd2+/HSe-比對(duì)產(chǎn)物的生長(zhǎng)過(guò)程影響較大：巰基乙酸比巰基丙酸更有利于CdSe量子點(diǎn)的生長(zhǎng)；溫度越高，產(chǎn)物生長(zhǎng)越快；pH值對(duì)含硫配體的包覆效果有影響，pH為11.5時(shí)產(chǎn)物的穩(wěn)定性最好；隨著Cd2+/HSe-的增加，CdSe的生長(zhǎng)不斷變慢。濃度和補(bǔ)償離子對(duì)生長(zhǎng)