Ⅱ-Ⅵ族低維納米半導體材料的制備及性能研究.pdf

1、低維II-VI族半導體納米材料由于其新穎的物理、化學和生物學特性以及在納米器件和生物醫(yī)藥領(lǐng)域中的潛在應用價值成為當今納米技術(shù)的研究熱點。而形貌和粒度人工可控的II-VI族半導體材料的制備無論從基礎研究還是應用的角度來看，都有著重要的意義。 本文利用有機物輔助水熱法制備了不同形貌的氧化鋅，研究表明不同的有機添加劑對產(chǎn)物的形貌有很大影響，乙二胺四乙酸二鈉(EDTA)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為一維棒狀氧化鋅，十六烷基三甲基溴化銨(CTAB

2、)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為片狀氧化鋅，聚丙烯酰銨(PAM)輔助水熱法制備的產(chǎn)物為針狀團簇氧化鋅，而十二烷基苯磺酸鈉輔助水熱法制備的產(chǎn)物和純水熱法制備的產(chǎn)物類似，形狀不規(guī)則。研究了不同EDTA用量、溫度、時間對產(chǎn)物的影響。并從過飽和度的角度結(jié)合負離子配位多面體生長基元理論模型和有機物的軟模板作用對不同有機物添加劑對ZnO納米結(jié)構(gòu)形貌的影響機理作了初步解釋。 本文還用含硫配體為包覆劑在水浴回流條件下制備了水溶性的CdSe量子點，通過尺

3、寸選擇沉積方法得到了不同粒度的樣品。并研究了包覆劑、溫度、pH值、Cd2+/HSe-比、濃度、鎘鹽等反應條件對CdSe量子點水相生長過程的影響。研究結(jié)果表明：包覆劑、溫度、pH值、Cd2+/HSe-比對產(chǎn)物的生長過程影響較大：巰基乙酸比巰基丙酸更有利于CdSe量子點的生長；溫度越高，產(chǎn)物生長越快；pH值對含硫配體的包覆效果有影響，pH為11.5時產(chǎn)物的穩(wěn)定性最好；隨著Cd2+/HSe-的增加，CdSe的生長不斷變慢。濃度和補償離子對生長