Ⅱ-Ⅵ族一維半導體納米材料陣列的制備及其性質(zhì)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文圍繞制備大面積一維納米半導體材料陣列這一主題，利用水熱法和層層沉積法制備了一系列大面積生長的有序陣列，并研究了它們的場發(fā)射性能。論文主要有以下幾個部分： 1．利用水熱法控制生長大面積氧化鋅納米棒陣列。并測量了不同長徑比的氧化鋅納米棒陣列的場發(fā)射性能，發(fā)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)增加長徑比有助于改善氧化鋅納米棒陣列的場發(fā)射性能。 2．利用氧化鋅納米棒陣列作為模板，使用層層沉積的方法制備了氧化鋅/硫化銅，氧化鋅/硫化鉛核殼納米棒陣列

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