低維半導(dǎo)體納米材料的制備、微觀結(jié)構(gòu)及其形成機理的研究.pdf

1、本論文主要對低維半導(dǎo)體納米材料（零維鍺納米晶、一維磷化銦納米線）的制備、微觀結(jié)構(gòu)與生長機理進行了系統(tǒng)的研究。利用高分辨電子顯微學(xué)技術(shù)，闡明了其生長機理，可為低維半導(dǎo)體納米材料的制備與應(yīng)用提供理論基礎(chǔ)。
　　本碩士論文共分為四章。
　　第一章首先對低維半導(dǎo)體納米材料的基本特性、制備方法、表征手段、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進行了綜述。
　　第二章通過離子注入法在非晶二氧化硅薄膜制得鍺納米晶，并在高溫下（700 oC-1100 oC）

2、進行退火處理。研究發(fā)現(xiàn)，鍺納米晶的平均尺寸隨著退火溫度的升高而增加。透射電鏡觀察發(fā)現(xiàn)，在鍺納米晶內(nèi)部存在面缺陷與線缺陷，并且面缺陷與線缺陷的含量均隨退火溫度的改變而變化。當(dāng)退火溫度低于1000 oC時，面缺陷含量與退火溫度無明顯關(guān)系，而當(dāng)退火溫度自1000 oC升至1100 oC時，面缺陷含量急劇降低；線缺陷含量則隨著退火溫度的變化而發(fā)生顯著變化。此外，通過研究不同溫度下鍺納米晶位錯的含量與內(nèi)部的殘余應(yīng)力的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)位錯的形成與內(nèi)應(yīng)力場

3、的釋放存在內(nèi)在聯(lián)系。
　　第三章通過固相源化學(xué)氣相沉積法制備了磷化銦納米線，利用電子顯微學(xué)技術(shù)對磷化銦納米線中存在的不同角度的彎曲結(jié)構(gòu)進行了觀察，對其生長機理進行了研究。統(tǒng)計發(fā)現(xiàn)，在所制備的磷化銦納米線中，彎曲角度主要集中在70o，90o，110o與170o。對于約70o與110o的彎曲的形成主要是由于納米線中層錯及孿晶的出現(xiàn)所造成的；約90o的彎曲則來自于局部非晶化；約170o彎曲則主要歸因于小角晶界的出現(xiàn)。
　　第四章利