IV–VI族半導體二維納米材料的控制合成及性質(zhì)研究.pdf

1、IV–VI族二維半導體納米材料由于其獨特的形狀和尺寸依賴性及其特有的化學性質(zhì),吸引了廣泛的的關(guān)注。迄今為止,IV–VI族半導體的尺寸和形貌控制,自組裝合成及其相關(guān)應用已經(jīng)做了大量的研究。IV–VI族半導體的二維結(jié)構(gòu)相對于其體材料而言有特殊的優(yōu)越性,使其在不同領(lǐng)域都有重要的應用,如太陽能電池、鋰離子電池、氣體傳感、光電探測器、光電化學傳感等方面以及光催化降解污染物等領(lǐng)域。本論文通過設(shè)計合適的化學反應路線實現(xiàn) IV–VI族二維半導體納米材料

2、的可控合成,并研究了所制備的一些 IV–VI族半導體化合物的形成機理及其電化學性能。研究的主要內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1、以SeO2, SnCl2·2H2O為起始原料,用 poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性劑,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶劑在高壓反應釜中溶劑熱法中制備出 SnSe2納米片和納米盤,并進一步研究了SnSe2納米片的形成機理, SnSe2納米片和納米盤光電化學響應和鋰離子電池

3、充放電性能表明SnSe2納米片的光電化學響應較SnSe2納米盤具有較大的提高,且在鋰離子電池應用方面具有較高的容量。
　　2、以 SeO2, SnCl2·2H2O為起始原料,用poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性劑,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶劑,180 oC條件下在三頸燒瓶中,泠凝回流加熱制備出SnSe2納米花。研究了SnSe2納米花在不同光強條件下的光電化學響應,光強越強光響應越明顯