準(zhǔn)一維氮化銦納米半導(dǎo)體的制備和表征.pdf

1、作為一種重要的Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶半導(dǎo)體，氮化銦有著優(yōu)良的輸運(yùn)和電學(xué)性能。人們對氮化銦在例如短波長激光器，高效太陽能電池以及高頻/高功率電子器件等許多光電器件方面有著極大的研究興趣。準(zhǔn)一維氮化銦納米材料的尺寸效應(yīng)和維度效應(yīng)賦予其與塊體材料不同的奇特性能。然而，目前準(zhǔn)一維氮化銦納米結(jié)構(gòu)的生長機(jī)理尚不明確，缺乏有效控制其生長的制備方法，因此難以根據(jù)光電子器件的性能要求對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行有效調(diào)控，也制約了其結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系、尺寸效應(yīng)和維度效應(yīng)的研究。

2、>　　因此，本文主要圍繞準(zhǔn)一維氮化銦納米半導(dǎo)體材料的合成、生長機(jī)理開展了研究和探討。
　　采用化學(xué)氣相沉積法，通過調(diào)節(jié)氣流和生長長溫度等參數(shù)，在反應(yīng)物上得到氮化銦納米線。運(yùn)用XRD對產(chǎn)物進(jìn)行分析，明確了樣品為純凈的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的InN。借助于掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡技術(shù)，表征了產(chǎn)物的形貌和微觀結(jié)構(gòu)，并初步解釋了該產(chǎn)物的生長機(jī)理。
　　采用化學(xué)氣相沉積方法，嘗試在硅基片上生長氮化銦準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)。通過對沉積區(qū)溫度、基片上催