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文檔簡介
1、本論文以納米材料的制備和應(yīng)用為背景,以準(zhǔn)一維納米材料的制備為重點,報道了非晶氧化硅準(zhǔn)一維納米材料領(lǐng)域中的前沿研究進展和我們的研究工作成果。本文在水平管式爐中,利用VLS生長機理和高溫裂解的方法分別制備了非晶氧化硅準(zhǔn)一維納米線、花形氧化硅納米線、碳納米管、空心碳納米球以及核殼結(jié)構(gòu)的碳納米球等納米材料。主要研究內(nèi)容有: 1.用SiO2粉末和活性碳為原料,在1100-1140℃、常壓下,石英片為襯底,制備了大量非晶二氧化硅納米線,同時
2、在鋁熱反應(yīng)的表面獲得了高結(jié)晶性的納米棒。我們對氧化硅納米線進行了形貌、紅外、拉曼、成分以及光致發(fā)光等方面的測試,并對納米線的生長機理進行了探討;而對納米棒我們僅做了形貌及選區(qū)電子衍射測試。 2.SiO2粉末、活性碳和二茂鐵按一定的質(zhì)量比率進行混合后作為原料,在石英襯底上獲得了碳納米管;但碳納米管的長、徑比不是很大,在SEM測試時是許多納米棒的形狀;有些納米管端口開了有些沒有。 3.硅油為原料、二茂鐵為催化劑制備了大量的表
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