半導(dǎo)體材料氧化鎵和氮化鎵的合成和表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、中山大學(xué)碩士學(xué)位論文半導(dǎo)體材料氧化鎵和氮化鎵的合成和表征姓名：區(qū)順英申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：無機(jī)化學(xué)指導(dǎo)教師：吳明娒20080530中山大學(xué)碩士學(xué)位論文7Ga203和NH3原位反應(yīng)得到，組成GaN微米花的納米片有很多空洞，并且出現(xiàn)體積收縮的現(xiàn)象。4測試了“rGa203、13Ga203和GaN微米花的室溫?zé)晒庑阅堋Ｔ谙嗤ㄩL250rim的激發(fā)下，)Ga203在454nm出現(xiàn)發(fā)射峰，比1B6a203藍(lán)移了36nrn。GaN在250nm的激發(fā)

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