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文檔簡介
1、隨著集成電路的廣泛應(yīng)用,特征尺寸的不斷減小,輻射環(huán)境下各種輻射粒子引起的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)日益嚴(yán)重。研究半導(dǎo)體器件的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng),提高其抗單粒子翻轉(zhuǎn)的能力,成為近年來國內(nèi)外微電子學(xué)領(lǐng)域的重要課題。
本文首先介紹了輻射環(huán)境、單粒子翻轉(zhuǎn)機(jī)理、入射粒子的表征方法及其在半導(dǎo)體中電荷淀積模式和單粒子翻轉(zhuǎn)的量化表征方法。隨后分析了本文用于仿真的SOI及應(yīng)變硅技術(shù)。提出了器件單粒子翻轉(zhuǎn)的模擬方法,并應(yīng)用ISE軟件進(jìn)行了模擬仿真。對電荷漏斗
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