硅基MOS器件的電離輻照效應(yīng)分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路在輻射環(huán)境下的應(yīng)用越來越廣泛，研究半導(dǎo)體器件和電路電離輻射效應(yīng)的損傷機(jī)理，提高其抗輻照水平成為近年來國內(nèi)外微電子學(xué)領(lǐng)域的重要課題。硅基器件作為集成電路的基礎(chǔ)，其抗輻照能力成為研究的重點(diǎn)。
　　 本文首先介紹了主要的電離輻照效應(yīng)——總劑量效應(yīng)，分析了MOS器件總劑量效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理和造成的損傷。閾值電壓漂移是電離輻照總劑量效應(yīng)對(duì)MOS器件產(chǎn)生的主要損傷。通過數(shù)值推導(dǎo)，建立MOS器件電離輻照效應(yīng)閾值電壓漂移量與輻照總劑量之

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