Ⅱ-Ⅵ族(ZnO,CdSe)納米材料的合成及其在光電探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用.pdf

1、本文的研究?jī)?nèi)容主要分為兩個(gè)部分:一、ZnO納米材料的制備及其在光電探測(cè)領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用;二、基于CdSe材料的光電導(dǎo)探測(cè)器的研制。
　　Part A ZnO納米材料的制備及其在光電探測(cè)領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用
　　本部分的研究工作與成果如下:
　　一:研究不同激光能量密度的248nm脈沖激光對(duì)ZnO材料的影響，發(fā)現(xiàn)隨著能量密度的增加，制備的ZnO薄膜材料的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，當(dāng)能量密度達(dá)到2.5J/cm2時(shí)，ZnO薄膜變成納米片結(jié)構(gòu)材料，其

2、原因可能是來(lái)自高能量密度激光產(chǎn)生的非線(xiàn)性效應(yīng)。
　　二:分析研究了金屬Zn薄膜在不同的條件下氧化得到ZnO材料的特性，提出金屬Zn氧化法制備ZnO生長(zhǎng)模型。通過(guò)控制氧化的時(shí)間、溫度以及采用金作為催化劑，分別獲得了卷曲狀、棒狀、片狀以及仙人球狀結(jié)構(gòu)的大面積均勻的ZnO納米材料。
　　三:研究了溫度、溶液濃度、催化劑對(duì)水熱法生長(zhǎng)ZnO納米線(xiàn)的影響。通過(guò)化學(xué)法制備了ZnS/ZnO異質(zhì)結(jié)3D納米結(jié)構(gòu)材料。首次使用水熱法成功在grap

3、hene材料表面生長(zhǎng)ZnO納米線(xiàn)，分析graphene襯底對(duì)生長(zhǎng)ZnO納米材料質(zhì)量的影響，在此基礎(chǔ)上制備了金屬半導(dǎo)體金屬結(jié)構(gòu)的紫外光電探測(cè)器，結(jié)果表明石墨烯對(duì)該探測(cè)器性能的改善具有明顯的作用。
　　Part B 基于CdSe材料的光電導(dǎo)探測(cè)器
　　本部分通過(guò)使用Lithographically Pattemed Nanowire Electrodeposition(LPNE)方法生長(zhǎng)CdSe納米材料。此部分的研究工作如下:<

4、br>　　一:用電化學(xué)法成功制備了新型Au-CdSe-Au core-multishell同軸納米線(xiàn)光電導(dǎo)探測(cè)器，此結(jié)構(gòu)器件具有在不增加兩個(gè)電極之間距離的同時(shí)可獲得盡可能大的光敏面積的特性。當(dāng)CdSe厚度約為250nm時(shí)，該器件的增益為2172，響應(yīng)度209A·W-1，響應(yīng)時(shí)間17μs，恢復(fù)時(shí)間為96μs。
　　二:首次通過(guò)電化學(xué)方法在CdSe納米線(xiàn)上生長(zhǎng)不同密度均勻的Au納米顆粒，并研究其對(duì)單根CdSe納米線(xiàn)光電導(dǎo)器件的影響。當(dāng)