鈮基硫?qū)倩衔锏闹苽?、晶體結(jié)構(gòu)和電磁學(xué)性質(zhì).pdf

1、本論文以鈮基硫?qū)倩衔锍瑢?dǎo)體作為主要研究對象，重點研究了NbSe2單晶生長、Zr摻雜的NbSe2、Cu（或Li）摻雜的NbS2化合物的制各方法、晶體結(jié)構(gòu)和電磁學(xué)性質(zhì)，主要研究結(jié)果如下:
　　1)化學(xué)氣相輸運(CVT)生長單晶通常采用雙溫區(qū)管式爐，我們利用普通單溫區(qū)管式爐中的溫度分布梯度實現(xiàn)化學(xué)氣相輸運，并成功生長出了NbSe2單晶。我們制備的NbSe2單晶的晶體尺寸約為2×2mm2，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度約為7.1K，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變寬度為0.3

2、K，超導(dǎo)體積分?jǐn)?shù)約為79％。單溫區(qū)管式爐生長晶體的方法同樣可以用于其它功能材料單晶的制備。
　　2)在探索空穴引入對NbSe2超導(dǎo)電性的影響時，首次合成出Zr摻雜的ZrxNb1-xSe2(0≤x≤0.08)系列樣品，并研究了它們的晶體結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)性質(zhì)隨摻雜量的變化。研究結(jié)果表明:隨著摻雜量的增加，晶胞參數(shù)和Te分別呈現(xiàn)增長和降低的趨勢。當(dāng)x＜0.02時，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降比較緩慢;當(dāng)x＞0.02時，可以觀察到伴隨著晶胞參數(shù)的突然增大死

3、也有一個快速降低的轉(zhuǎn)變。Zr摻雜導(dǎo)致超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降可以歸因于費密面態(tài)密度的降低。
　　3)首次研究了Cu3Nb17S37和CuNbS2(x=0.125，0.25)化合物的低溫電磁性質(zhì)以及詳細(xì)的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)，研究結(jié)果表明:Cu摻雜后會形成2a0×2a0的六方超晶格結(jié)構(gòu)，并且隨著摻雜量的逐漸增加，c軸方向的晶胞參數(shù)在不斷增大，電阻率和磁化率都在逐漸減小，樣品都表現(xiàn)為良好的金屬性和順磁性。
　　4)通過固相反應(yīng)的方法制備了LiN