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文檔簡介
1、薄膜硅太陽能電池因?yàn)橛昧可俪杀镜?，?yīng)用非常廣泛，但同時也面臨著效率較低的難題。目前已見報道的硅薄膜太陽電池的最高效率約為15％，遠(yuǎn)低于體硅太陽電池的25％。原因在于，隨著入射光波長的增加，相應(yīng)的吸收系數(shù)迅速下降，吸收該波長光子所需的吸收長度大大增加，而薄膜電池厚度小，使得光子在電池中通過的路徑大大縮短，相當(dāng)一部分入射太陽光子在被吸收和轉(zhuǎn)化為電子前即由電池直接逸出，而沒有被充分利用，從而引出對這部分光利用方法的研究。
提高光
2、吸收對于薄膜硅太陽能電池一直是一個重要的課題，因?yàn)槲障禂?shù)的極限接近于紅外光。在本文中，設(shè)計了一種新型的薄膜硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，P層，I層，N層的厚度分別是20nm，1000nm，20nm。引入了AAO作為納米結(jié)構(gòu)光柵，并且理論分析了這種結(jié)構(gòu)的薄膜硅太陽能電池的最優(yōu)AAO結(jié)構(gòu)參數(shù)，即AAO厚度是78.6nm，孔半徑為157.2nm，占空比為0.5。
本文以基于FDTD的CST模擬仿真了帶有AAO光柵的薄膜硅太陽能電池對光吸收
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