表面粗化提高紅光LED的發(fā)光效率研究.pdf

1、近年來(lái)，發(fā)光二極管發(fā)展迅速，但是AlGaInPLEDs低下的外量子效率嚴(yán)重制約了其在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域里的廣泛發(fā)展，本文主要針對(duì)如何提高紅光LED的發(fā)光效率進(jìn)行了研究。通過(guò)對(duì)磷化鎵基LED的表面粗化，改變了那些滿足光全反射定律的光傳播方向，使光發(fā)射到另一表面或反射回到原表面時(shí)，光不會(huì)發(fā)生全反射進(jìn)而透過(guò)界面，這樣就提高了LED的出光效率。
　　本文利用了濕法腐蝕和干法腐蝕，對(duì)紅光LED外延片進(jìn)行了表面粗化。濕法腐蝕分別利用熔融態(tài)的KOH

2、和KOH-乙二醇溶液對(duì)AlGaInP基紅光LED外延片進(jìn)行了表面粗化處理。干法利用了ICP對(duì)外延片進(jìn)行了刻蝕處理。研究了粗化溫度、粗化時(shí)間對(duì)LED外延片表面形貌的影響，并利用原子力顯微鏡(AFM)、半導(dǎo)體芯片自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)LED器件的相關(guān)性能（形貌、I-V特性曲線、亮度和主波長(zhǎng)）進(jìn)行了表征。比較了粗化前后的LED亮度和電流特性變化。測(cè)試結(jié)果表明:利用熔融態(tài)的KOH對(duì)AlGaInP基紅光LED外延片進(jìn)行表面粗化，可以有效地抑制了光在通過(guò)L