表面粗化提高AlGaInP LEDs外量子效率.pdf

1、針對(duì)目前AlGaInPLEDs外量子效率一直不高的現(xiàn)狀，本文利用表面粗糙化方法對(duì)傳統(tǒng)正裝和新型倒裝AlGaInPLEDs進(jìn)行表面粗化。
　　本文設(shè)計(jì)并制作了傳統(tǒng)正裝和新型倒裝AlGaInP紅光LEDs，具體分析了其各自粗化層的特點(diǎn)。針對(duì)正裝AlGaInPLEDs設(shè)計(jì)了采用H3PO4/H2O2混合液和HNO3/HF混合液分別對(duì)傳統(tǒng)正裝AlGaInPLEDs進(jìn)行濕法粗化，用ICP進(jìn)行干法粗化，用干濕法相結(jié)合粗化三種方案。針對(duì)倒裝AlG

2、aInPLEDs研究了粗化層(AlxGa1-x)0.5In0.5P中Al組分大小對(duì)粗化工藝的影響，設(shè)計(jì)采用HCl/H3PO4混合液對(duì)倒裝AlGaInPLEDs進(jìn)行濕法粗化。
　　對(duì)制作出的器件進(jìn)行光電測(cè)試發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)正裝AlGaInPLEDs采用HNO3/HF混合液粗化外量子效率提高8.3％，采用干法ICP蝕刻外量子效率提高11.7％，選用干濕法結(jié)合外量子效率提高20.8％。倒裝AlGaInPLEDs在Al組分為0.4時(shí)，最利于形成