BNT與BFO及其復合薄膜的制備與鐵電性能研究.pdf

1、鐵電存儲器(FeRAM)作為新一代的非揮發(fā)性存儲器,跟其他的傳統(tǒng)存儲器相比具有很大的優(yōu)勢和十分廣闊的應用前景,鐵電薄膜是鐵電存儲器最核心的部分之一,制備高性能的鐵電薄膜是鐵電存儲器能夠得到廣泛應用的基礎。本文在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上利用化學溶液沉積法(CSD)成功制備出了BNT(Bi3.15Nd0.85Ti3O12)薄膜,BFO(BiFeO3)薄膜以及二者的復合薄膜,通過變換不同的制備工藝和條件來研究退火溫

2、度、摻雜、退火氣氛、升溫速率和界面條件等對薄膜性能的影響。
　　通過對所制得的BNT薄膜進行結構分析和電學性能測試發(fā)現(xiàn),BNT薄膜表面致密平整,結晶良好,厚度約為360nm;其最佳的退火溫度為750℃;升溫速率會對薄膜的生長方向和薄膜質量造成顯著的影響;受薄膜界面效應的影響,薄膜的鐵電性能與薄膜的厚度和后退火處理密切相關。
　　采用CSD方法制備的BFO薄膜表面致密平整,結晶良好,結果發(fā)現(xiàn)通過摻雜能夠在一定程度上減小薄膜的漏

3、電流并改善薄膜的鐵電性,A位摻La的效果要好過A,B位同時摻La和Mn。通過在不同的氣氛下退火發(fā)現(xiàn),在氧氣氣氛下退火的薄膜比在空氣氣氛下退火的薄膜的漏電流更小,鐵電性能更好。
　　采用CSD方法成功的在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制備出了Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Bi0.9La0.1Fe0.95Mn0.05O3復合薄膜,發(fā)現(xiàn)通過制備BNT與BLFMO厚度比例合適的復合薄膜可以讓整個薄膜的漏電流得