AAO模板制備及交流電沉積Ni納米線的研究.pdf

1、近年來,由于金屬Ni納米線陣列具有高度的磁各向異性,比二維納米薄膜材料具有更優(yōu)越的磁性能,使得Ni及其他功能納米有序陣列體系在光電子學、功能器件、信息儲存等眾多領域有著廣泛的應用前景而備受關注。因此進一步深入的研究金屬Ni納米線,尤其是研究形貌均一、高度有序,尺寸可控的金屬Ni納米線的制備具有重要的意義。
　　 同時,由于陽極氧化鋁模板(AAO模板)的顯著優(yōu)點,因而模板合成法成為制備一維納米材料最有效的方法。采用電化學的方法在模

2、板孔內組裝納米線充分利用了模板孔徑均勻,高度有序等模板孔的限域作用。本文進一步研究了模板的制備工藝及采用交流電沉積的方法制備金屬納米線的制備工藝。
　　 1、研究恒壓、恒流條件下,模板的制備工藝。氧化電壓、氧化電流、氧化時間、擴孔方式等因素影響了模板的形貌及性能。
　　 2、不同的氧化電壓,阻隔層的厚度也不同。但是,阻隔層的厚度很難觀察到,本實驗通過電化學測試的方法表征阻隔層的厚度,電阻的大小即反應了阻隔層的厚度。因此可

3、以定量的選擇特定的氧化電壓來制備模板,使得阻隔層的厚度最小,有利于納米線的生長。同時,在相同的電壓條件下,采用不同的擴孔方法及階梯降低電壓的方法可以有效的減薄阻隔層,利于交流電沉積順利的進行。
　　 3、系統(tǒng)的研究了模板的制備工藝對沉積納米線的影響,制備模板的氧化電壓,氧化時間,擴孔方式等模板的制備工藝對納米線的影響。
　　 4、研究電源濾波、沉積頻率等因素對納米線的影響：阻隔層有一定的濾波效果,可以保證沉積的金屬比電解