氟化稼酸鍶摻雜系列發(fā)光材料的制備及發(fā)光性能研究.pdf

1、本論文采用高溫固相法制備了Sr3GaO4F∶Eu3+，Sr3GaO4F∶Tb3+熒光體，通過XRD、PLE及PL等測試手段對產(chǎn)物晶型進(jìn)行表征并研究摻雜離子濃度、反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間及共摻雜敏化離子對發(fā)光性能影響并探討變化機(jī)理，得到以下結(jié)論。
　　 通過高溫固相法合成熒光體Sr3GaO4F∶Eu3+，并對產(chǎn)物晶型及性能進(jìn)行表征，結(jié)果表明當(dāng)反應(yīng)溫度為1080℃，Eu3+摻雜濃度達(dá)到0.2時(shí)，主發(fā)射峰618nm處源于Eu3+5D0→7F

2、2的躍遷發(fā)射峰強(qiáng)度最佳。此外研究了電荷補(bǔ)償對粉體發(fā)光性能的影響，結(jié)果證明當(dāng)nNa+∶mEu3+=1∶1時(shí)，且n=m=0.1時(shí)，發(fā)光增強(qiáng)效應(yīng)最佳。同時(shí)討論了Bi3+共摻對粉體紅光發(fā)射的增強(qiáng)效應(yīng)，得到發(fā)光性能最佳的分子式Sr2.74GaO4F∶0.06Eu3+,0.2Bi3+。
　　 采用高溫固相法制備熒光體Sr3GaO4F∶Tb3+，通過對其激發(fā)及發(fā)射譜圖的研究，發(fā)現(xiàn)激發(fā)譜呈現(xiàn)兩部分激發(fā)峰，一部分位于250-300nm之間，源于T

3、b3+4f-5d躍遷;另外450-600nm處的峰是由于Tb3+的f-f能級(jí)組的躍遷產(chǎn)生，強(qiáng)度很弱。當(dāng)反應(yīng)溫度在1000℃，Tb3+摻雜濃度為0.08時(shí)，其主峰546nm處的發(fā)光強(qiáng)度最佳。另外進(jìn)一步研究了Ce3+/Tb3+共摻對發(fā)光性能的影響。通過激發(fā)以及發(fā)射譜的研究發(fā)現(xiàn)對于任意濃度的Tb3+，Ce3+引入都會(huì)使546nm處Tb3+特征發(fā)射峰強(qiáng)度增加，隨著Tb3+摻雜濃度提高，Ce3+的特征發(fā)射減弱，Tb3+特征發(fā)射增強(qiáng)，證明存在Ce3